[发明专利]加工腔室的清洁方法及等离子体加工装置

说明书

在一些实施例中，提供一种加工腔室的清洁方法及等离子体加工装置。可透过将加工气体引入加工腔室中来执行此方法，其中加工腔室具有沿加工腔室侧壁的副产物。利用射频信号由加工气体产生等离子体。将下方电极连接至第一电位。同时，对侧壁电极施加具有第二电位的偏压，以促使对副产物的离子轰击，其中第二电位的值大于第一电位的值。从加工腔室排出加工气体。

技术领域

本发明实施例涉及一种加工腔室的清洁方法及实施此方法的等离子体加工装置，特别涉及一种利用电位差来促使离子轰击的加工腔室的清洁方法及实施此方法的等离子体加工装置。

背景技术

在制造现代电子装置的整个过程中，广泛地使用半导体加工设备，例如等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)系统、等离子体蚀刻系统、以及溅镀系统。此半导体加工设备可包含加工腔室，有助于包含由此设备执行的频繁反应工艺。由于进行这些工艺的缘故，可能会有副产物形成在加工腔室的侧壁上，导致设备的性能降低及/或污染，其可能会导致电子装置的产能降低。在试图要保持设备效率以及电子装置的产能的情况下，通常会执行清洁工艺，以移除积聚在加工腔室侧壁上的副产物。

发明内容

本发明实施例提供一种加工腔室的清洁方法，其包含：将加工气体引入加工腔室中，其中加工腔室具有沿加工腔室的侧壁的副产物，利用射频(RF)信号由加工气体产生等离子体，将设置于加工腔室侧壁内的下方电极连接至第一电位，同时对侧壁电极施加具有第二电位的偏压，以促使对副产物的离子轰击，其中第二电位的值大于第一电位的值，以及从加工腔室排出加工气体。

本发明实施例提供一种等离子体加工装置，其包含：加工腔室、第一射频功率产生器、侧壁电压产生器以及第二射频功率产生器。，其中该静电吸盘的该上表面被配置用于接收一工件加工腔室包含下方电极，其中下方电极排列于静电吸盘的上表面下方，且位于加工腔室的侧壁之间，静电吸盘的上表面被配置用于接收工件。第一射频功率产生器电性连接至射频天线。侧壁电压产生器电性连接至侧壁电极。第二射频功率产生器电性连接至下方电极。

本发明实施例提供一种加工腔室的清洁方法，其包含：将侧壁电压产生器的开关元件连接至第一电位，以将侧壁电极连接至第一电位，将第二射频功率产生器的开关元件连接至第二电位，以将下方电极连接至第二电位，对基板进行加工，其中基板包含位于加工腔室内的第一材料，此加工会产生副产物，副产物包含第一材料，并附着至加工腔室的侧壁，从加工腔室移出加工后的基板，将加工气体引入加工腔室，将第二射频功率产生器的开关元件切换至第一电位，且同时将侧壁电压产生器的开关元件切换至第三电位，经由将第一射频功率产生器连接至射频天线，在加工腔室内产生清洁等离子体，以及从加工腔室排出加工气体及副产物。

附图说明

根据以下的详细说明并配合附图以更加了解本发明实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图中的各种部件未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1示出能够实施本发明实施例的方法的半导体加工系统的一些实施例的附图，用以移除累积在加工腔室侧壁上的副产物。

图2A-图2B示出能够实施本发明实施例的方法的半导体加工系统的更详细实施例的一系列附图，用以移除累积在加工腔室侧壁上的副产物。

图3A-图3G示出用以移除累积在加工腔室侧壁上的副产物的方法的一些实施例的一系列附图。

图4A-图4B示出用以移除累积在加工腔室侧壁上的副产物的方法的另一些实施例的一系列附图。

图5示出用以移除累积在加工腔室侧壁上的副产物的方法的一些实施例的流程图。

附图标记说明：

100～半导体加工系统；

102～加工腔室；

104～第一加工腔室侧壁(加工腔室侧壁)；