[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810895143.1 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110299378B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 村上畅介;新屋敷悠介;山本和彦 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够调整存储单元的单元电流的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；信号线，在与基板垂直的第1方向上延伸；导电层(52)，在与第1方向交叉且与基板平行的第2方向上延伸，且具有第1面(52_a)、及在与第1及第2方向交叉的第3方向上远离信号线的第2面(52_b)；存储层(53C)，设置在信号线与导电层(52)之间；及绝缘层(56)，设置在第2面(52_b)与存储层(53C)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：基板；第1信号线，在与所述基板垂直的第1方向上延伸；第1导电层，在与所述第1方向交叉且与所述基板平行的第2方向上延伸，且具有第1面、及在与所述第1及第2方向交叉的第3方向上远离所述第1信号线的第2面；第1存储层，设置在所述第1信号线与所述第1导电层之间；及第1绝缘层，设置在所述第2面与所述第1存储层之间。
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