[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制作方法在审
| 申请号： | 201810891020.0 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109037351A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市南硕明泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L27/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种瞬态电压抑制器及其制作方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成沟槽；在所述沟槽侧壁及底部的衬底区域内交替形成多个第一导电类型及第二导电类型的注入子区，其中，在所述沟槽底部的衬底区域内形成的是第一导电类型的注入子区，在所述沟槽侧壁的衬底区域的顶部内形成的是第二导电类型的注入子区；在所述沟槽侧壁上形成侧墙；形成第一电极及第二电极；其中，所述第一电极形成于所述沟槽内与位于所述沟槽底部的第一导电类型的注入子区电连接，所述第二电极与位于所述沟槽侧壁的衬底区域的顶部的第二导电类型的注入子区电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 子区 衬底区域 沟槽侧壁 第一导电类型 导电类型 瞬态电压抑制器 第二电极 第一电极 电连接 衬底 交替形成 侧墙 制作 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成沟槽；在所述沟槽侧壁及底部的衬底区域内交替形成多个第一导电类型及第二导电类型的注入子区，其中，在所述沟槽底部对应的衬底区域内形成的是第一导电类型的注入子区，在所述沟槽侧壁对应的衬底顶部区域内形成的是第二导电类型的注入子区；在所述沟槽侧壁上形成侧墙；形成第一电极及第二电极；其中，所述第一电极形成于所述沟槽内与位于所述沟槽底部的第一导电类型的注入子区电连接，所述第二电极与位于所述沟槽侧壁的衬底顶部区域的第二导电类型的注入子区电连接。
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