[发明专利]一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构在审
| 申请号： | 201810887487.8 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109037316A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 苏亚兵;王允;蒋骞苑;苏海伟;赵德益;叶毓明;李亚文;张利明;吴青青;冯星星;杜牧涵;赵志方 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本发明改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 器件结构 衬底 芯片 背面金属图形 金属 尺寸一致 阳极金属 短路 良率 封装 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。
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