[发明专利]一种在氟金云母衬底上化学气相沉积生长钼钨硒合金的方法

摘要

本发明公开了一种在氟金云母衬底上化学气相沉积生长钼钨硒合金的方法，其特点是采用氟金云母衬底，以三氧化钼粉末与三氧化钨粉末混合物及硒粉为前驱体，利用化学气相沉积生长得到钼钨硒合金，其沉积生长包括：衬底清洗、前驱体的设置和气相沉积生长钼钨硒合金步骤。本发明与现有技术相比具有制备方法简单，结晶率高，可控性强等特点，得到的钼钨硒合金可应用于带隙调节工程、析氢反应，有望于提高器件开关比，提高太阳能电池的性能。

主权项

1.一种在氟金云母衬底上化学气相沉积生长钼钨硒合金的方法，其特征在于采用氟金云母衬底，以三氧化钼粉末和三氧化钨粉末混合物及硒粉为前驱体，利用化学气相沉积生长得到钼钨硒合金，其方法包括以下步骤：a）衬底材料的清洗将氟金云母衬底依次放入装有丙酮、异丙醇和去离子水的容器中，各超声清洗20min，最后用氮气将衬底吹干，所述丙酮和异丙醇为分析纯；b）前驱体的设置采用三氧化钼粉末和三氧化钨粉末混合物为前驱体，将三氧化钼粉末与三氧化钨粉末按1：3质量比混合后放置于设有硅渣的两片对扣衬底间，并将其放置在石英片上，硒粉放置在石英舟中；所述三氧化钼粉末、三氧化钨粉末和硒粉的纯度为99.5%；c）气相沉积 将上述设置前驱体和硅渣的氟金云母衬底连同石英片放置在管式炉的反应室中心，装有硒粉的石英舟放置于反应室中心与进气口之间，然后由进气口向反应室充入流量为80～200sccm的惰性气体进行10～30min空气置换和清洗；d）气相沉积生长以10～30℃/min升温速率将管式炉加热到800～950℃，然后通入流量为80～100sccm的惰性气体为载气进行气相沉积生长，其生长保温10～30分钟后自然降至室温，取出衬底得产物为层状结构的钼钨硒合金。