[发明专利]晶圆中的电容结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810882362.6 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109103172A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 于涛;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆中的电容结构及其形成方法，所述晶圆中的电容结构包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极层上覆盖有电极间介质层，所述第二电极层与所述第三电极层均位于所述电极间介质层上，所述第二电极和所述第三电极构成第一电容结构，所述第一电极与所述第二电极以及所述第三电极构成第二电容结构。在本发明提供的晶圆中的电容结构及其形成方法中，通过第一电极、第二电极和第三电极构成第一电容结构和第二电容结构，在不增加电容占用面积的同时，可通过第二电容结构形成较大电容容量，无额外光罩，没有增加成本，满足芯片对于电容的需要，提高芯片对于设计面积的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 电容结构 第二电极 第三电极 第一电极 晶圆 介质层 电极 电容 芯片 大电容 光罩 种晶 占用 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆中的电容结构，其特征在于，所述晶圆中的电容结构包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极包括第一电极层和第一金属连接结构，所述第一电极层上覆盖有电极间介质层，所述第一金属连接结构穿过所述电极间介质层连接所述第一电极层，所述第二电极包括相互连接的第二电极层和第二金属连接结构，所述第三电极包括相互连接的第三电极层和第三金属连接结构，所述第二电极层与所述第三电极层均位于所述电极间介质层上，所述第二电极和所述第三电极构成第一电容结构，所述第一电极与所述第二电极以及所述第三电极构成第二电容结构。
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