[发明专利]一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201810874627.8 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110797440A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 林伟;吴向龙;徐晓强;闫宝华 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：本发明中的工艺方法，包括以下步骤：(1)蒸镀ZnO透明导电膜，并对ZnO作高温退火处理；(2)ZnO图形制作出台面结构；(3)P‑GaN台面制作；(4)ICP刻蚀台面结构；(5)电极掩膜图形制作；(6)金属电极制作；(7)蒸镀氧化硅钝化层；(8)光刻氧化硅钝化层，将电极上的氧化硅钝化层位置露出；(9)ICP干法刻蚀电极上的氧化硅，露出金属电极。此处以先长电极后长氧化硅钝化层，钝化层使用ICP干法刻蚀的方法避免了ZnO的透明导电膜在腐蚀氧化硅钝化层时被腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅钝化层 干法刻蚀 金属电极 图形制作 电极 蒸镀 发光二极管芯片 腐蚀 电流扩展层 透明导电膜 电极掩膜 高温退火 台面结构 台面制作 长电极 钝化层 面结构 氧化硅 氧化锌 光刻 制备 制作 | ||
【主权项】：
1.一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述发光二极管芯片由下自上依次包括N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、ZnO电流扩展层，还包括N电极、P电极，所述P电极设置在所述ZnO电流扩展层上，所述N电极设置在所述N-GaN层上；包括：/n(1)在所述N-GaN层上依次生长所述量子阱层、所述P-GaN层；/n(2)在所述P-GaN层上生长一层ZnO透明导电膜；/n(3)在所述ZnO透明导电膜表面上，光刻后湿法腐蚀得到所述ZnO电流扩展层的台面图形；/n(4)在步骤(3)处理后的晶片表面上，光刻后ICP干法刻蚀得到P-GaN层的台面图形；/n(5)在步骤(4)处理后的晶片表面上，光刻出P电极图形、N电极图形，蒸镀并剥离清洗后，得到P电极、N电极；/n(6)在步骤(5)处理后的晶片表面上，沉积氧化硅钝化层；/n(7)在所述氧化硅钝化层表面涂负性光刻胶，对负性光刻胶进行光刻，将P电极、N电极上的氧化硅钝化层露出；/n(8)使用ICP干法刻蚀掉P电极、N电极上的氧化硅钝化层，去除负性光刻胶，即得。/n
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