[发明专利]硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法在审
| 申请号： | 201810878656.1 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110797439A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 周永谋;王伟;赵晓霞;田宏波;王恩宇;王雪松 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法。该方法包括在沉积有透明导电氧化物薄膜的硅异质结结构表面形成具有一定图案的掩膜；在掩膜窗口位置依次电镀金属铜和金属锡；去除非电极区域的掩膜，使其下方的TCO薄膜暴露；将电池浸入锡盐溶液中，以便在铜电极侧表面形成金属锡包覆层；以及将电极进行热处理。该方法简便、高效，不会对电池表面和电极其他部分造成影响，同时在锡层被破坏的位置还可以形成新的锡层，从而使锡层完整包覆铜电极，增强铜电极在环境中的稳定性，同时金属锡的完整包覆有利于后续组件形成过程中的焊接工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 铜电极 金属锡 锡层 掩膜 完整包覆 电极 焊接工艺 透明导电氧化物薄膜 硅异质结太阳电池 电镀金属铜 热处理 浸入 窗口位置 电池表面 电极区域 硅异质结 后续组件 结构表面 锡盐溶液 包覆层 侧表面 包覆 沉积 电池 图案 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法，其特征在于，包括：/n(1)在第一透明导电氧化物层的上表面形成第一掩膜层，在第二透明导电氧化物层的下表面形成第二掩膜层；/n(2)在所述第一掩膜层开设至少一个第一掩膜窗口，在所述第二掩膜层开设至少一个第二掩膜窗口；/n(3)在所述第一掩膜窗口中依次形成第一金属铜层和第一金属锡层，在所述第二掩膜窗口中依次形成第二金属铜层和第二金属锡层；/n(4)去除非电极区域的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，以便暴露所述非电极区域的第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层；/n(5)将步骤(4)所得样品浸泡在锡盐溶液中，以便在所述第一金属铜层的侧表面形成第一锡包覆层，在所述第二金属铜层的侧表面形成第二锡包覆层；/n(6)将步骤(5)所得样品进行热处理，以便使第一铜电极和第二铜电极被锡层完整包覆，所述第一铜电极由所述第一金属铜层形成，所述第二铜电极由所述第二金属铜层形成；/n其中，所述第一透明导电氧化物层形成在硅异质结结构的上表面，所述第二透明导电氧化物层形成在硅异质结结构的下表面。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
