[发明专利]转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201810873301.3 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109148352B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 何泽尚 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法。该转移头用于转移无机发光二极管，包括：在第一方向上依次设置的第一凹槽和第二凹槽，且第一凹槽与第二凹槽连通，其中，第一凹槽用于提供无机发光二极管进出转移头的出入口，无机发光二极管由第一凹槽进入第二凹槽后，至少部分结构被第二凹槽限制在转移头内。通过本发明，能够通过一种结构简单的转移头实现无机发光二极管的拾取与转移。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 阵列 无机 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种转移头，其特征在于，用于转移无机发光二极管，所述转移头包括：在第一方向上依次设置的第一凹槽和第二凹槽，且所述第一凹槽与所述第二凹槽连通，其中，所述第一凹槽用于提供所述无机发光二极管进出所述转移头的出入口，所述无机发光二极管由所述第一凹槽进入所述第二凹槽后，至少部分结构被所述第二凹槽限制在所述转移头内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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