[发明专利]转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法有效
申请号: | 201810873301.3 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN109148352B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 何泽尚 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 阵列 无机 发光二极管 方法 | ||
1.一种转移头,其特征在于,用于转移无机发光二极管,所述转移头包括:在第一方向上依次设置的第一凹槽和第二凹槽,且所述第一凹槽与所述第二凹槽连通,其中,所述第一凹槽用于提供所述无机发光二极管进出所述转移头的出入口,所述无机发光二极管由所述第一凹槽进入所述第二凹槽后,通过所述第二凹槽与所述无机发光二极管的形状、大小和/或结构相互配合,形成所述无机发光二极管在所述第二凹槽内处于被限制的状态,所述无机发光二极管的部分结构被所述第二凹槽限制在所述转移头内。
2.根据权利要求1所述的转移头,其特征在于,
所述第一凹槽的第一距离大于所述无机发光二极管的第二距离,其中,所述第一距离为所述第一凹槽在第二方向上相对的两侧内壁之间的最小距离,在平行于所述转移头所在的平面上,所述第二方向与所述第一方向垂直,所述第二距离为所述无机发光二极管在第三方向上相对两侧外壁之间的最大距离,所述无机发光二极管包括多层堆叠结构,所述第三方向与所述多层堆叠结构的堆叠方向垂直。
3.根据权利要求2所述的转移头,其特征在于,
所述第一凹槽的第一截面的形状与所述无机发光二极管的第二截面的形状相同,其中,所述第一截面与所述第一方向和所述第二方向均平行,所述第二截面与所述多层堆叠结构的堆叠方向垂直。
4.根据权利要求3所述的转移头,其特征在于,所述第一截面与所述第二截面均为圆形或正多边形。
5.根据权利要求2所述的转移头,其特征在于,
所述第二凹槽的第三距离小于所述第二距离,其中,所述第三距离为所述第二凹槽在第二方向上相对的两侧内壁之间的最小距离,所述第二凹槽具有所述第三距离的位置与所述第二凹槽的槽底之间的距离大于0。
6.根据权利要求5所述的转移头,其特征在于,所述第二凹槽的第三截面为梯形,其中,所述第三截面与所述第一方向垂直,所述梯形具有相对设置且相互平行的长边和短边,所述梯形的长边对应所述第二凹槽的槽底。
7.根据权利要求6所述的转移头,其特征在于,
所述第一凹槽的第四截面为矩形,其中,所述第四截面与所述第一方向垂直;
所述第四截面在所述第二方向上的宽度与所述梯形的长边相等。
8.根据权利要求5所述的转移头,其特征在于,
所述第二凹槽的第三截面为矩形,其中,所述第三截面与所述第一方向垂直;
所述第二凹槽在第二方向上相对的两侧内壁上分别设置有凸起,其中,两个所述凸起之间的距离为所述第三距离。
9.根据权利要求8所述的转移头,其特征在于,
所述第二凹槽两侧内壁上设置的凸起之间的距离可调。
10.根据权利要求1所述的转移头,其特征在于,
所述第二凹槽的第三距离大于所述无机发光二极管的第四距离,其中,所述第三距离为所述第二凹槽在第二方向上相对的两侧内壁之间的最小距离,在平行于所述转移头所在的平面上,所述第二方向与所述第一方向垂直,所述第四距离为所述无机发光二极管在第三方向上相对两侧外壁之间的最小距离,所述无机发光二极管包括多层堆叠结构,所述第三方向与所述多层堆叠结构的堆叠方向垂直。
11.根据权利要求1所述的转移头,其特征在于,
所述第一凹槽靠近所述第二凹槽一侧的槽底部设置有第一通孔,所述转移头还包括第一固定块,所述第一固定块可经由所述第一通孔伸入所述第一凹槽,并在所述第一凹槽的深度方向上移动。
12.根据权利要求1所述的转移头,其特征在于,
所述第二凹槽的槽底部设置有第二通孔,所述转移头还包括第二固定块,所述第二固定块可经由所述第二通孔伸入所述第二凹槽,并在所述第二凹槽的深度方向上移动。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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