[发明专利]半导体电存储材料及其制备的柔性电存储器件及制备方法有效
| 申请号： | 201810864928.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109037441B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体电存储材料及其制备方法与由其制备的柔性电存储器件及制备方法；针对目前电存储材料的环境及高温稳定性差，重复性差，运输和利用过程中易损坏等问题，通过旋涂的方式，将Spiro‑OMeTAD制备为铝/Spiro‑OMeTAD/ITO玻璃三明治结构的阻变式随机存储器（RRAM），成功实现了高性能的电存储行为，其制备过程简单，器件环境及高温稳定性好，重复性好，柔性好等对于电存储技术的研究扩大了材料来源以及增加其实用价值具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 材料 及其 制备 柔性 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体电存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，将2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴溶液旋涂在经过处理的导电基底的导电面，然后进行退火处理，制备半导体电存储材料。
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