[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201810861413.7 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109037350A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞;陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，所述薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、第一金属层、有源层、第二金属层、钝化层，栅极设于衬底上，栅绝缘层覆盖所述栅极，第一金属层包括间隔设置于栅绝缘层上的第一电极和第二电极，第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，有源层的一端夹设于第一电极与源极之间，有源层的另一端夹设于第二电极与漏极之间，钝化层覆盖于源极、漏极、有源层裸露的表面，通过将有源层夹设于第一金属层与第二金属层之间，提升了有源层与第二金属层之间的接触性能。本发明的制备方法中第一金属层与第二金属层通过两次构图工艺形成，从而避免了出现倒切角。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 第二金属层 第一金属层 薄膜晶体管 栅绝缘层 夹设 漏极 源极 制备 第二电极 第一电极 间隔设置 钝化层 衬底 构图工艺 接触性能 阵列基板 切角 覆盖 裸露 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅极、栅绝缘层、第一金属层、有源层、第二金属层、钝化层，所述栅极设于所述衬底上，所述栅绝缘层覆盖所述栅极，所述第一金属层包括间隔设置于所述栅绝缘层上的第一电极和第二电极，所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的一端夹设于所述第一电极与所述源极之间，所述有源层的另一端夹设于所述第二电极与所述漏极之间，所述钝化层覆盖于所述源极、漏极、有源层裸露的表面。
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