[发明专利]用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管有效
| 申请号： | 201810859373.2 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN109309343B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | C·科里亚索;G·米奈格海尼;R·保莱蒂 | 申请（专利权）人： | 会聚光子学意大利有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/22;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管。一种在具有稳定波长的半导体激光器的平面部分中制作具有分布式光栅反射器(RT)的激光二极管的方法，包括：提供由基板、布置在基板上的第一包覆层、布置在第一包覆层上并适于发射辐射的有源层和布置在有源层上的第二包覆层以及接触层形成的二极管，所述包覆层适于形成异质结以允许电流到有源层中的有效注入和光学限制。制造方法提供以在器件的第一部分上产生波导以用于光学辐射的限制，并且在器件的其余部分上产生用于光反射和限制的两种不同光栅。通过光刻和随后的蚀刻来实现用于限制光学辐射的波导，而光栅的制作需要高分辨率光刻和从平面区域起的浅蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 半导体 激光二极管 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种用于在具有稳定波长的半导体激光器的平面部分中制作具有分布式光栅反射器(RT)的激光二极管的方法，包括以下步骤：‑提供由基板(S)、布置在基板(S)上的至少一个第一包覆层(CL1)、布置在第一包覆层(CL1)上并适于发射辐射的有源层(A)和布置在有源层(A)上的至少一个第二包覆层(CL2)以及接触层(C)形成的二极管，所述包覆层(CL1、CL2)适于形成异质结以允许电流到有源层(A)中的有效注入和光学限制，‑在器件的第一有源部分(ZA)上产生波导(GO)以提供光学辐射的限制，以及‑在器件的其余无源部分(ZP)上产生用于光反射和限制的两种不同光栅，其中所述两种光栅限定两种不同的区域(R1、R2)，其中第一区域(R1)包括低级数且高占空比的光栅并且用于反射，并且其中第二区域(R2)包括与第一区域(R1)相同级数的光栅或比第一区域(R1)更高级数的光栅且为低占空比，或者没有光栅，并且第二区域(R2)主要用于光限制。
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