[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在堆叠层中形成沟道孔以及沟道孔中的存储结构之后，形成阶梯结构，而后，通过同一光罩同时形成阶梯结构中的伪通孔以及栅线缝隙。这样，由于是在沟道孔及其中的存储结构形成之后再形成台阶的，使得阶梯结构不会受到沟道孔及存储结构制造工艺的影响，优化了台阶工艺，保证了器件性能，进而，通过同一光罩同时形成阶梯结构中的伪通孔以及栅线缝隙，这样减少了光罩的设计以及深槽刻蚀的工艺步骤，使得制造成本也有所降低。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层包括存储区和所述存储区周围的台阶区，所述存储区中形成有贯穿所述堆叠层的沟道孔，所述沟道孔中形成有存储结构，所述堆叠层为绝缘层与牺牲层交替层叠的叠层；在所述台阶区上形成阶梯结构；通过同一光罩同时在所述阶梯结构中形成伪通孔以及在所述堆叠层中形成栅线缝隙；进行所述伪通孔的填充；利用所述栅线缝隙去除所述牺牲层。