[发明专利]一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201810849986.8 | 申请日： | 2018-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN109166790B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 牛刚;代立言;任巍;赵金燕;赵慧丰;刘逸为;刘学森;王伟超;武和平;王延昆 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 金属 应力 剥离 石墨 烯上钙钛矿 氧化物 压电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：选取在石墨烯层上生长的氧化物/石墨烯/衬底的结构；步骤2：采用磁控溅射法在氧化物/石墨烯/衬底的结构的表面生长Cr金属应力层，得到Cr金属应力层/薄膜/石墨烯/衬底的结构；步骤3：将步骤2中生长得到的结构表面粘在胶带上，构成胶带/Cr金属应力层/薄膜/石墨烯/衬底结构，撕下胶带即实现薄膜的剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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