[发明专利]一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：选取在石墨烯层上生长的氧化物/石墨烯/衬底的结构；氧化物/石墨烯/衬底的结构为钙钛矿氧化物压电薄膜，且具有石墨烯分隔衬底与钙钛矿氧化物薄膜；

步骤2：采用磁控溅射法在氧化物/石墨烯/衬底的结构的表面生长Cr金属应力层，得到Cr金属应力层/薄膜/石墨烯/衬底的结构；Cr金属作为应力层的厚度为1μm；所述磁控溅射法的具体步骤如下：

将样品和Cr靶材装入磁控溅射薄膜生长腔中，将真空腔中气压抽至5×10^-4Pa以下，除去吸附在薄膜表面的污染物，向真空腔内通入氩气，打开脉冲电源，控制功率在40W～100W，生长5～10分钟，增大功率到150W～200W，生长2小时，向腔内通入空气，取出样品；向真空腔内通入氩气时，控制气压在0.3Pa～1.0Pa之间；

步骤3：将步骤2中生长得到的结构表面粘在胶带上，构成胶带/Cr金属应力层/薄膜/石墨烯/衬底结构，撕下胶带即实现薄膜的剥离。