[发明专利]存储单元及其构成的存储阵列和OTP在审
| 申请号： | 201810840550.2 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109087679A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 龚政;金建明;顾明;权力 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/12 | 分类号： | G11C17/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储单元，该存储单元由一个NMOS组成；编程模式，该NMOS漏极接0V电压，NMOS栅极连接预设电压；读取模式，该NMOS漏极连接0V电压，NMOS栅极接电路电压。本发明还公开了一种由上述存储单元组成的存储阵列。本发明还公开了一种OTP，包括：供电电路连接行地址译码电路，存储单元阵列分别连接行地址译码电路、列地址译码电路和高速电流型放大电路；供电电路连接编程使能信号端，行地址译码电路连接读信号端，高速电流型放大电路连接该只读存储器输出端。本发明的存储阵列能节省了50％的阵列面积和33.3％的绕线复杂度。本发明的OTP即能减小版图面积又能增大设计余量。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 存储阵列 译码电路 供电电路连接 放大电路 高速电流 行地址 漏极 存储单元阵列 地址译码电路 只读存储器 编程模式 电路电压 读取模式 使能信号 预设电压 复杂度 连接行 列地址 面积和 输出端 信号端 减小 绕线 编程 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于：该存储单元由一个NMOS组成；编程模式，该NMOS漏极接0V电压，NMOS栅极连接预设电压；读取模式，该NMOS漏极连接0V电压，NMOS栅极接电路电压。
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