[发明专利]半导体制造中金属层的熔化处理的基于激光的系统和方法在审
| 申请号： | 201810838344.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109309045A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | S·阿尼基特切夫;A·M·霍里鲁克 | 申请（专利权）人： | 超科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造中金属层的熔化处理的基于激光的系统和方法。本文公开的方法包括扫描由激光束在金属层或包括金属和非金属的IC结构上方形成的聚焦光斑。在包括部分重叠的扫描路径片段的扫描路径上扫描聚焦光斑。聚焦光斑具有辐照度和停留时间，其被选择为局部熔化金属层或局部熔化IC结构的金属而不熔化非金属。这导致金属的快速熔化和再结晶，这减小了金属的电阻率并导致正在制造的IC芯片的性能改进。还公开了用于执行本文公开的方法的示例激光熔化系统。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦光斑 金属 熔化 半导体制造 局部熔化 扫描路径 中金属层 金属层 激光 扫描 激光熔化系统 快速熔化 性能改进 不熔化 电阻率 辐照度 激光束 再结晶 减小 停留 制造 | ||
【主权项】：
1.一种处理在半导体晶片的表面中形成的集成电路IC结构的方法，其中IC结构由具有第一熔化温度T1的至少一个金属特征件和具有第二熔化温度T2的至少一个非金属特征件限定，其中T2>T1，该方法包括：由连续波或准连续波激光器发射的激光束形成聚焦光斑，其中所述激光束相对于所述半导体晶片的所述表面是P偏振的；以及扫描所述IC结构上方的聚焦激光光斑，以照射所述至少一个金属特征件和所述至少一个非金属特征件两者，使得所述至少一个金属特征件熔化并再结晶，而所述至少一个非金属特征件不熔化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
