[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810825378.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109979507B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 坪内洋 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含第1存储器串SR、第1字线WL、第2字线WL、第1选择栅极线SGD、第2选择栅极线SGS、及控制电路16，所述第1存储器串SR包含第1选择晶体管ST1、第1存储单元MT、第2存储单元MT、及第2选择晶体管ST2。控制电路16在对第1存储单元MT的写入动作中，反复进行包含编程动作及编程验证动作的编程循环，在编程循环的反复结束之后，执行对第1及第2字线施加第1电压VREAD，且对第1及第2选择栅极线施加第2电压VSG的第1动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：第1存储器串，包含分别串联连接的第1选择晶体管、第1存储单元、第2存储单元、及第2选择晶体管；第1字线，连接在所述第1存储单元的栅极；第2字线，连接在所述第2存储单元的栅极；第1选择栅极线，连接在所述第1选择晶体管的栅极；第2选择栅极线，连接在所述第2选择晶体管的栅极；及控制电路，控制写入动作；且所述控制电路在对所述第1存储单元的所述写入动作中，反复进行包含编程动作及编程验证动作的编程循环，在所述编程循环的所述反复结束之后，执行对所述第1及第2字线施加将所述第1及第2存储单元设为导通状态的第1电压，且对所述第1及第2选择栅极线施加将所述第1及第2选择晶体管设为导通状态的第2电压的第1动作。
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