[发明专利]一种二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种二极管及其制造方法，所述二极管包括：第一导电类型的衬底，形成于衬底内的第二导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层，互相交替层叠生长于衬底之上的第二导电类型的第一外延层和第一导电类型的第二外延层，贯穿第一外延层和第二外延层分别延伸至第一埋层和第二埋层的第一沟槽和第二沟槽，分别填充形成于第一沟槽和第二沟槽的第二导电类型的第一多晶硅层和第一导电类型的第二多晶硅层，与第一多晶硅层连接的阳极金属，与第二多晶硅层连接的阴极金属。由于第一沟槽与第一埋层连接，第二沟槽与第二埋层连接，使得该二极管在反向恢复期间，其阴极端可以保留一定量的载流子，从而具有了较软的反向恢复特性。

主权项

1.一种二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；埋层，包括第二导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层，所述埋层通过注入形成于所述衬底内；外延层，所述外延层包括第二导电类型的第一外延层和第一导电类型的第二外延层，当所述第一外延层或所述第二外延层多于一个时，所述第一外延层和第二外延层互相交替层叠生长于所述衬底之上；第一沟槽和第二沟槽，贯穿所述第一外延层和所述第二外延层，分别延伸至所述第一埋层和所述第二埋层；第二导电类型的第一多晶硅层和第一导电类型的第二多晶硅层，分别填充形成于所述第一沟槽和第二沟槽；与所述第一多晶硅层连接的阳极金属；与所述第二多晶硅层连接的阴极金属。