[发明专利]半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺有效
| 申请号： | 201810809001.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108994525B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;王学泽;董志清 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B23P9/02 | 分类号： | B23P9/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王术兰 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，涉及半导体用超高纯钛溅射靶的技术领域，包括对靶材端面滚花；对靶材侧面滚花；对靶材端面和侧面的连接处R角滚花。本发明的目的在于提供一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，制作专用的滚花刀头及刀柄，将靶材装夹在车床上，通过加工设备的运转及刀具对靶材的下压力，在靶材要求区域实现滚花纹，从而达到增加靶材表面附着力，防止靶材在溅射过程中堆积的多余离子脱落，导致损坏晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 高纯 溅射 端面 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，包括：对靶材端面滚花；对所述靶材侧面滚花；对所述靶材端面和侧面的连接处R角滚花。
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