[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201810800781.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109216545A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;黄冲;李志国;周洋;胡海天 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有金属层，所述金属层中具有凹槽；沉积介质层至所述金属层上和所述凹槽中，在所述凹槽处，所述介质层中形成间隙；对所述介质层进行平坦化处理；清洁所述间隙；以及沉积覆盖层至所述介质层上，并覆盖所述间隙。本发明采用air gap工艺实现降低尺寸小于0.25微米的器件的电阻电容延迟造成的影响，通过清洁所述间隙，将流入所述间隙内的研磨液和清洗液去除。去除研磨液和清洗液之后，所述间隙在后续沉积工艺中不会有液体挥发，有助于使覆盖层沉积严实，从而使得所述间隙均匀可控。均匀可控的间隙提高了电容的一致性，从而改善了电阻电容延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 沉积 金属层 电阻电容延迟 半导体器件 覆盖层 清洗液 研磨液 衬底 去除 平坦化处理 工艺实现 间隙均匀 液体挥发 清洁 凹槽处 可控的 电容 可控 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有金属层，所述金属层中具有凹槽；沉积介质层至所述金属层上和所述凹槽中，在所述凹槽处，所述介质层中形成间隙；对所述介质层进行平坦化处理；清洁所述间隙；以及沉积覆盖层至所述介质层上，并覆盖所述间隙。
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