[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201810800781.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109216545A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;黄冲;李志国;周洋;胡海天 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 沉积 金属层 电阻电容延迟 半导体器件 覆盖层 清洗液 研磨液 衬底 去除 平坦化处理 工艺实现 间隙均匀 液体挥发 清洁 凹槽处 可控的 电容 可控 制造 覆盖 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底上形成有金属层，所述金属层中具有凹槽；
沉积介质层至所述金属层上和所述凹槽中，在所述凹槽处，所述介质层中形成间隙；
对所述介质层进行平坦化处理；
清洁所述间隙；以及
沉积覆盖层至所述介质层上，并覆盖所述间隙。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用烘烤的方法清洁所述间隙。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，烘烤的温度为100℃～500℃。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在沉积覆盖层之前，在沉积覆盖层的设备腔体内空置设定时间，以清洁所述间隙。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述设定时间为10s～60s。
6.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在沉积覆盖层之前，在烘烤设备中进行烘烤处理，以清洁所述间隙。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述烘烤持续时间为10s～60s。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述平坦化处理包括采用化学机械研磨工艺。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层包括铝金属层或铜金属层。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，沉积覆盖层的速率为温度为300℃～500℃。
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