[发明专利]用于控制非易失性存储器中的读电流的装置和过程有效
| 申请号： | 201810792305.9 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109411004B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/30;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于控制非易失性存储器中的感测电流的装置和过程。在一个实施例中，提供了一种用于控制由电源电压供电的非易失性存储器中的读电流的水平的方法。基于电源电压的值来确定模型电流，模型电流表示能够在读出期间流过存储器的读取路径的实际电流。模型电流与具有参考值的参考电流进行比较。生成控制信号。控制信号用于控制读电流的生成，读电流具有等于模型电流的值的分数与参考值之间的最低值的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 非易失性存储器 中的 电流 装置 过程 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制非易失性存储器的读电流的水平的电路，所述非易失性存储器被配置为由电源电压供电，所述电路包括：模型电路，被配置为根据所述电源电压的值来确定模型电流的值，所述模型电流表示能够在读出期间流过所述非易失性存储器的读取路径的实际电流；以及调节电路，被配置为：将所述模型电流与具有参考值的参考电流进行比较，以及生成被配置为控制读电流生成电路的控制信号，所述读电流生成电路被配置为在存在所述控制信号的情况下生成具有等于所述模型电流的值的分数与所述参考值之间的最低值的值的所述读电流。
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