[发明专利]用于控制非易失性存储器中的读电流的装置和过程

权利要求书

1.一种用于控制非易失性存储器的读电流的水平的电路，所述非易失性存储器被配置为由电源电压供电，所述电路包括：

模型电路，被配置为根据所述电源电压的值来确定模型电流的值，所述模型电流表示能够在读出期间流过所述非易失性存储器的读取路径的实际电流；以及

调节电路，被配置为：

将所述模型电流与具有参考值的参考电流进行比较，以及

生成被配置为控制读电流生成电路的控制信号，所述读电流生成电路被配置为在存在所述控制信号的情况下生成所述读电流，所述读电流的值等于所述模型电流的值的分数与所述参考值之间的最低值；

其中所述模型电路被配置为以由第一电压控制的方式传递所述模型电流；并且所述调节电路被配置为基于将所述模型电流与所述参考电流进行比较来生成所述第一电压，并且其中所述调节电路被配置为当所述电源电压高于或等于电压底限时生成等于所述电压底限的所述第一电压，并且当所述电源电压低于所述电压底限时生成等于所述电源电压的所述第一电压，所述电压底限具有通过基于所述参考值来控制所述模型电流而产生的值。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述调节电路包括：

电流镜，所述电流镜被配置为从输出节点提取所述模型电流的副本；以及

参考电流生成器，所述参考电流生成器被配置为将所述参考电流注入到所述输出节点中，所述第一电压是在所述输出节点上的所产生的电压。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述控制信号是存在于所述电流镜的两个晶体管的共用栅极上的镜控制电压。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述模型电流的值的分数在所述模型电流的1/4与1/1之间。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述读电流被配置为被注入到所述非易失性存储器的位线中，以用于基于电压的读出。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述读电流被配置为与流过所述非易失性存储器的位线的电流进行比较，以用于基于电流的读出。

7.一种用于控制非易失性存储器的读电流的水平的电路，所述非易失性存储器被配置为由电源电压供电，所述电路包括：

模型电路，被配置为根据所述电源电压的值来确定模型电流的值，所述模型电流表示能够在读出期间流过所述非易失性存储器的读取路径的实际电流；以及

调节电路，被配置为：

将所述模型电流与具有参考值的参考电流进行比较，以及

生成被配置为控制读电流生成电路的控制信号，所述读电流生成电路被配置为在存在所述控制信号的情况下生成所述读电流，所述读电流的值等于所述模型电流的值的分数与所述参考值之间的最低值；

其中所述模型电路被配置为以由第一电压控制的方式传递所述模型电流；并且所述调节电路被配置为基于将所述模型电流与所述参考电流进行比较来生成所述第一电压，并且其中所述非易失性存储器包括存储器单元，所述非易失性存储器的每个存储器单元包括存取晶体管和具有阈值电压的状态晶体管，其中所述模型电路包括模型存储器单元，所述模型存储器单元具有与所述非易失性存储器的存储器单元的架构同源的架构，所述模型存储器单元的模型存取晶体管被配置为由所述第一电压经由所述模型存取晶体管的栅极控制，并且所述模型存储器单元的模型状态晶体管被配置为由专用控制电压接通。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述专用控制电压在所述模型状态晶体管的阈值电压的0.2V内。

9.根据权利要求7所述的电路，其中所述模型状态晶体管包括彼此电连接的浮置栅极和控制栅极。