[发明专利]用于控制非易失性存储器中的读电流的装置和过程

说明书

本公开涉及用于控制非易失性存储器中的感测电流的装置和过程。在一个实施例中，提供了一种用于控制由电源电压供电的非易失性存储器中的读电流的水平的方法。基于电源电压的值来确定模型电流，模型电流表示能够在读出期间流过存储器的读取路径的实际电流。模型电流与具有参考值的参考电流进行比较。生成控制信号。控制信号用于控制读电流的生成，读电流具有等于模型电流的值的分数与参考值之间的最低值的水平。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年8月17日提交的法国专利申请No.1757718的优先权，该申请通过引用并入本文。

技术领域

本发明总体上涉及电子电路，并且在特定实施例中涉及用于控制非易失性存储器中的读电流的装置和过程。

背景技术

先进的非易失性存储器技术，特别是电可擦除和可编程的非易失性存储器(EEPROM)，可能需要能够在宽范围的电源电压的情况下操作。

具体地，例如通过串行外设接口总线(SPI)或内部集成电路(I²C)型串行数据总线进行通信的EEPROM存储器可能需要与从1.6V至5.5V变化的电源电压兼容。

这种总线上的数据传送频率与电源电压的值有关。通常地，对于1.6V的电压，该频率为5MHz，并且对于4.5V或更高的电压，该频率为20MHz。

然而，存储在EEPROM存储器的存储器单元中的数据常规地由读出放大器并且使用特别是受电源电压值影响的方法来读取。

读出放大器一般地在基于电压的读模式中或在基于电流的读模式中将对存储器单元的电荷的测量转换为数字信号。

在基于电压的读模式中，恒定的读电流被注入到位线中，并且所得到的位线上的电压与参考电压进行比较。

读电流受到良好的控制，因为它是由读出放大器注入的。

然而，由于相邻位线之间的大量的寄生电容性耦合，所以当需要快速存取时，不推荐这种基于电压的读模式。

在基于电流的读模式中，位线被置于预充电电压，并且所得到的流过位线的电流与参考读电流进行比较。

这种读模式允许快速的读出，而没有位线之间的电容性耦合的缺点。

然而，流过位线的电流受到的控制较差——如果电源电压处于高水平并且存储器单元被高度编程，则电流可能较高。

因此，对于在高电源电压水平下的快速存取时间，参考读电流必须足够高。

一般地，这是例如关于电源电压和温度而稳定以及源自专用电流源的电流的问题。

在低电源电压水平(例如1.6V)，将存储器单元读取连接到读出放大器的读取路径的金属氧化物半导体(MOS)晶体管具有更高的电阻性并且传递更少的电流。

例如，这些MOS晶体管属于读取多路复用和存储位置解码器件，并且一般地被用作非常电阻性的、低控制电压的开关。

因此，存在由与编程的单元串联的读取路径传递的电流将低于所注入的读电流(在基于电压的读模式中)或低于所比较的读电流(在基于电流的读模式中)的风险。

编程的单元可能因此在低电源电压水平被读取为擦除的。

在于降低读电流的常规解决方案在处于高电源电压水平的存取时间方面受到限制。在低电源电压水平，将读电流调整得更低具有可能导致(为了预防)不必要的低电流的缺点，从而造成较高的存取时间。

发明内容

一个或多个实施例涉及在宽范围的电源电压的情况下控制非易失性存储器读出放大器。