[发明专利]具不同驱动电流的环栅场效晶体管的集成电路结构及方法

摘要

本发明涉及具不同驱动电流的环栅场效晶体管的集成电路结构及方法，于形成具不同驱动电流的场效晶体管(FET)的结构的方法中，堆叠形成于基板上。基板为第一半导体材料，且堆叠包括第二及第一半导体材料的交替层。填充牺牲材料的凹槽形成于堆叠的某些区域中。堆叠被图案化为鳍片，且执行环栅FET工艺。环栅FET工艺包括移除牺牲栅极以形成环栅FET的栅极开口及从栅极开口移除第二半导体材料和任何牺牲材料(如果存在)，使得在各栅极开口中保留源/漏区域间横向延伸的纳米形貌。牺牲材料被移除的环栅FET的栅极开口将具少于其他栅极开口的纳米形貌。因此于结构中，一些环栅FET将具有更少的沟道区域，而具有较其他更低的驱动电流。

主权项

1.一种方法，其特征在于，包括：形成包括一第二半导体材料以及一第一半导体材料的交替层的多层堆叠于包含该第一半导体材料的一基板上；形成一凹槽于该多层堆叠中；填充一牺牲材料于该凹槽中；图案化该多层堆叠为包括至少一第一鳍片与一第二鳍片的多层鳍片，其中，该第一鳍片包括交替层，且其中，该第二鳍片包括位于该第一半导体材料的至少一层的上方的该牺牲材料；以及形成多个晶体管，其包括：包括使用该第一鳍片中的该第一半导体材料的多层所形成的多个第一沟道区域的一第一晶体管；以及包括使用该第二鳍片中的该第一半导体材料的至少一层所形成的至少一第二沟道区域的一第二晶体管。