[发明专利]具不同驱动电流的环栅场效晶体管的集成电路结构及方法

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，其特征在于，该方法包括：

形成包括一第二半导体材料以及一第一半导体材料的交替层的多层堆叠于包含该第一半导体材料的一基板上；

形成一凹槽于该多层堆叠中；

填充一牺牲材料于该凹槽中；

图案化该多层堆叠为包括至少一第一鳍片与一第二鳍片的多层鳍片，其中，该第一鳍片包括交替层，且其中，该第二鳍片包括位于该第一半导体材料的至少一层的上方的该牺牲材料；以及

形成多个晶体管，其包括：包括使用该第一鳍片中的该第一半导体材料的多层所形成的用于多个第一沟道区域的多个第一纳米形貌的一第一晶体管；以及包括使用该第二鳍片中的该第一半导体材料的至少一层所形成的用于至少一第二沟道区域的至少一第二纳米形貌的一第二晶体管，

其中，该第一晶体管被形成为具有一第一数量的该第一纳米形貌，以及该第二晶体管被形成为具有小于该第一数量的一第二数量的该第二纳米形貌。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一晶体管具有一第一驱动电流，该第二晶体管具有低于该第一驱动电流的一第二驱动电流。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一半导体材料包括硅，且该第二半导体材料包括硅锗。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二半导体材料以及该牺牲材料包括单晶硅锗。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二半导体材料包括单晶硅锗，且该牺牲材料包括多晶硅锗。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该晶体管包括：

形成具有侧壁间隔件于该第一鳍片的一第一部分上以及该第二鳍片的一第一部分上的牺牲栅极；

移除横向延伸超过该牺牲栅极以及该侧壁间隔件的该第一鳍片的第二部分以及该第二鳍片的第二部分，以于该第一鳍片的第一部分以及该第二鳍片的该第一部分两者上暴露该第一半导体材料的垂直表面以及该第二半导体材料的垂直表面；

横向蚀刻该第一鳍片的该第一部分以及该第二鳍片的该第一部分两者上的该第二半导体材料的暴露的垂直表面；

沉积隔离材料于该第一鳍片的该第一部分以及该第二鳍片的该第一部分两者上的该第二半导体材料的该暴露的垂直表面上；

外延生长邻接该第一鳍片上的该第一半导体材料的该暴露的垂直表面的第一晶体管的第一源/漏区域，以及外延生长邻接该第二鳍片上的该第一半导体材料的该暴露的垂直表面的该第二晶体管的第二源/漏区域；

选择性移除该牺牲栅极以形成栅极开口，该栅极开口包括暴露该第一鳍片的该第一部分的一第一栅极开口，以及暴露该第二鳍片的该第一部分的一第二栅极开口；

从暴露于该第一栅极开口中的该第一鳍片的该第一部分选择性蚀刻移除该第二半导体材料，以及从暴露于该第二栅极开口中的该第二鳍片的该第一部分选择性蚀刻移除该第二半导体材料以及该牺牲材料；以及

形成替换金属栅极于该栅极开口中。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一晶体管为一静态随机存取存储器单元的一下拉晶体管，且该第二晶体管为该静态随机存取存储器单元的一通栅晶体管。