[发明专利]一种LED结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810777949.0 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108922946B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王爱民;程伟;尧刚;崔晓慧 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙) 35244 | 代理人： | 唐绍烈 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法，该方法包括：提供图形化的衬底；利用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面形成的缓冲层，所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构，从而解决现有LED结构制作方法中，所述氮化铝缓冲层形成后，反应室中仍然存在较多的铝残留，影响后续形成的外延结构的晶体质量，导致所述LED器件的光电性能降低的问题，还可以改善衬底与外延结构之间的晶格应力，使得所述LED的外延结构表面温场均匀，LED结构出射光线的波长的均匀性得到很大提升，同时，减小量子阱受到的量子约束斯塔克效应，使得最后形成的LED的发光性能提升，亮度增加，漏电流减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED结构的制作方法，其特征在于，包括：提供图形化的衬底，所述图形化的衬底包括平面区域和相对于所述平面区域凸起的凸起结构；利用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面形成的缓冲层，所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构。
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