[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810777300.9 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729341A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 31319 上海德禾翰通律师事务所 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底和鳍部，半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域的上方分别对应设置有鳍部；形成第一源掺杂薄膜，第一源掺杂薄膜覆盖鳍部的表面；在相邻鳍部之间形成层间介质层；除去部分层间介质层和部分第一源掺杂薄膜，以暴露鳍部的顶部表面；除去第一区域上方的鳍部，以形成第一凹槽；除去第一凹槽两侧的第一源掺杂薄膜；形成覆盖第一凹槽两侧壁的第二源掺杂薄膜；在第一凹槽内形成第一替代鳍部；和采用退火工艺处理层间介质层。离子扩散后，能够避免鳍部表面形成缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 掺杂 薄膜 第一区域 凹槽两侧 第二区域 介质层 衬底 半导体 半导体器件 层间介质层 薄膜覆盖 表面形成 顶部表面 离子扩散 退火工艺 处理层 暴露 替代 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底和鳍部，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的上方分别对应设置有所述鳍部；/n形成第一源掺杂薄膜，所述第一源掺杂薄膜覆盖所述鳍部的表面；/n在相邻所述鳍部之间形成层间介质层；/n除去部分所述层间介质层和部分所述第一源掺杂薄膜，以暴露所述鳍部的顶部表面；/n除去所述第一区域上方的所述鳍部，以形成第一凹槽；/n除去所述第一凹槽两侧的所述第一源掺杂薄膜；/n形成覆盖所述第一凹槽两侧壁的第二源掺杂薄膜；/n在所述第一凹槽内形成第一替代鳍部；和/n采用退火工艺处理所述层间介质层。/n
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