[发明专利]一种晶圆结构、太阳能电池芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810771062.0 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN108987489B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 安晖;崔海峰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0735;H01L31/18
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 辛姗姗
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种晶圆结构、太阳能电池芯片及其制作方法。所述晶圆结构包括基底、盖帽层、减反射层和电极层,由于减反射层覆盖在相邻两个盖帽单元中每个盖帽单元的边缘区上,电极在基底上的正投影至少部分覆盖正对边缘区的减反射层在基底上的正投影,因此电极的底部能够与盖帽单元和减反射层紧密结合,减反射层能够与盖帽单元紧密结构,晶圆结构具有结构稳定和性能稳定等优点,从而解决了背景技术中存在的电极的底部边缘存在悬空、覆盖在电极的悬空处的减反射层因缺少支撑而容易发生断裂等不良问题。
搜索关键词: 一种 结构 太阳能电池 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种晶圆结构,其特征在于,包括基底、盖帽层、减反射层和电极层;所述盖帽层包括多个间隔分布在所述基底上的盖帽单元,所述盖帽单元包括中心区和边缘区;所述减反射层覆盖在相邻两个盖帽单元之间的基底上,且覆盖在所述相邻两个盖帽单元中每个盖帽单元的边缘区上;所述电极层包括设置在各所述盖帽单元上的电极,所述电极位于所述盖帽单元背离所述基底的一侧;所述电极在所述基底上的正投影覆盖与所述电极对应的盖帽单元的中心区在所述基底上的正投影,且至少部分覆盖正对所述边缘区的减反射层在所述基底上的正投影。
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