[发明专利]一种晶圆结构、太阳能电池芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种晶圆结构、太阳能电池芯片及其制作方法。所述晶圆结构包括基底、盖帽层、减反射层和电极层，由于减反射层覆盖在相邻两个盖帽单元中每个盖帽单元的边缘区上，电极在基底上的正投影至少部分覆盖正对边缘区的减反射层在基底上的正投影，因此电极的底部能够与盖帽单元和减反射层紧密结合，减反射层能够与盖帽单元紧密结构，晶圆结构具有结构稳定和性能稳定等优点，从而解决了背景技术中存在的电极的底部边缘存在悬空、覆盖在电极的悬空处的减反射层因缺少支撑而容易发生断裂等不良问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是一种晶圆结构、太阳能电池芯片及其制作方法。

背景技术

晶圆是指半导体集成电路制作所用的晶片，在晶圆上制作电路元件结构，制成具有特定电性功能的晶圆结构。

目前，晶圆结构的制作方法主要包括以下步骤：第一步，在晶圆上依次形成光电转化层和盖帽层；第二步，在盖帽层上形成多个间隔分布的正电极；第三步，使用正电极作为掩膜板对盖帽层进行刻蚀，得到多个间隔排布的盖帽单元和多条切割道，每个正电极与光电转化层之间均设置一盖帽单元；第四步，在步骤三所得的结构表面覆盖减反射层，对减反射层进行刻蚀；第五步，形成背电极等操作，得到图1所示的晶圆结构。

现有技术使用正电极1作为掩膜板对盖帽层进行刻蚀，会造成盖帽单元2的侧蚀，正电极1的底部边缘出现悬空，导致覆盖在正电极1的悬空处的减反射层3因缺少支撑而易于断裂，进而外界水汽从减反射层3的断裂处入侵后侵蚀正电极1等结构，使得晶圆结构的性能变差。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种晶圆结构，以解决背景技术中的正电极的底部边缘处于悬空状态，覆盖在正电极的悬空处的减反射层因缺少支撑而易于断裂的问题。

一方面，提供了一种晶圆结构，包括基底、盖帽层、减反射层和电极层；

所述盖帽层包括多个间隔分布在所述基底上的盖帽单元，所述盖帽单元包括中心区和边缘区；

所述减反射层覆盖在相邻两个盖帽单元之间的基底上，且覆盖在所述相邻两个盖帽单元中每个盖帽单元的边缘区上；

所述电极层包括设置在各所述盖帽单元上的电极，所述电极位于所述盖帽单元背离所述基底的一侧；

所述电极在所述基底上的正投影覆盖与所述电极对应的盖帽单元的中心区在所述基底上的正投影，且至少部分覆盖正对所述边缘区的减反射层在所述基底上的正投影。

进一步地，所述基底包括衬底和形成在所述衬底上的光电转化层，所述光电转化层包括多个光电转化单元；

每个所述光电转化单元背离所述衬底的表面上设置有至少一个盖帽单元。

进一步地，所述光电转化层朝向所述电极层的表面上开设有多条交错排布的切割道，多条所述切割道划分所述光电转化层至多个所述光电转化单元；

所述减反射层覆盖在所述切割道的表面上。

进一步地，所述光电转化层至少包括层叠设置的第一光电转化层和第二光电转化层，所述第一光电转化层位于所述光电转化层的顶部，所述盖帽单元设置在所述第一光电转化层上；

所述切割道从所述第一光电转化层的表面开设至所述第二光电转化层朝向所述第一光电转化层的表面。

第二方面，还提供了一种太阳能芯片，包括上述的晶圆结构。

第三方面，还提供了一种晶圆结构的制作方法，所述方法包括：

形成基底以及位于所述基底上的盖帽层，所述盖帽层包括多个间隔分布在所述基底上的盖帽单元，所述盖帽单元包括中心区和边缘区；

形成减反射层，所述减反射层覆盖在相邻两个盖帽单元之间的基底上且覆盖在所述相邻两个盖帽单元中每个盖帽单元的边缘区上；