[发明专利]形成较厚栅极堆栈的纳米片状晶体管装置的方法及其装置

摘要

本发明涉及形成较厚栅极堆栈的纳米片状晶体管装置的方法及其装置，其中，一种方法包括：形成带图案材料堆栈，该带图案材料堆栈包含至少一沟道半导体材料层与各自在该至少一沟道半导体材料层之上及之下的第一及第二牺牲材料层，形成取代栅极空腔于该带图案材料堆栈之上，以及通过该栅极空腔执行蚀刻工艺以对于该至少一沟道半导体材料层选择性地移除该第一及第二牺牲材料层的至少一部分。该方法进一步包括：执行第二蚀刻工艺以形成该沟道半导体材料层的减少厚度部分，该减少厚度部分具有小于该初始厚度的最终厚度，以及形成取代栅极结构至少于该沟道半导体材料层的该减少厚度部分四周。

主权项

1.一种形成纳米片状晶体管的方法，包含：形成带图案材料堆栈于半导体衬底之上，该带图案材料堆栈包含至少一沟道半导体材料层以及各自在该至少一沟道半导体材料层之上及之下的第一及第二牺牲材料层，该至少一沟道半导体材料层有一初始厚度；形成取代栅极空腔于该带图案材料堆栈之上；通过该取代栅极空腔执行至少一第一蚀刻工艺以对于该至少一沟道半导体材料层选择性地移除该第一及第二牺牲材料层中通过形成该取代栅极空腔而被暴露的至少一部分；通过该取代栅极空腔执行至少一第二蚀刻工艺以减少该至少一沟道半导体材料层中通过移除该第一及第二牺牲材料层的该至少一部分而被暴露的一部分的该初始厚度，以藉此产生该至少一沟道半导体材料层中具有小于该初始厚度的最终厚度的一减少厚度部分；以及形成取代栅极结构于该取代栅极空腔内且至少于该至少一沟道半导体材料层的该减少厚度部分四周。