[发明专利]一种双晶向多晶硅铸锭及其制备方法在审
| 申请号： | 201810769506.7 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109097827A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 余学功;张放;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双晶向多晶硅铸锭及其制备方法。包括如下步骤：分别将<100>晶向单晶棒的标准{100}晶面顺时针及逆时针旋转相同的角度，沿着旋转后的晶面切割，得到对称晶向的单晶籽晶，将对称晶向的单晶籽晶相邻间隔排列形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，通过定向凝固得到了<100>和<221>双晶向的多晶硅铸锭。该方法避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于5×104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅铸锭 籽晶层 晶向 双晶 单晶籽晶 硅料 晶面 位错 坩埚 制备 对称 融化 熔化 逆时针旋转 定向凝固 加热控制 相邻间隔 单晶棒 顺时针 籽晶 切割 诱导 摆放 铺设 生长 | ||
【主权项】：
1.一种双晶向多晶硅铸锭的制备方法，包括如下步骤：(1)将<100>晶向单晶棒的标准{100}晶面顺时针旋转10～30°，沿着旋转后的晶面切割，得到长方体形的单晶籽晶I；将<100>晶向单晶棒的标准{100}晶面逆时针旋转相同的角度，沿着旋转后的晶面切割，得到与单晶籽晶I形状相同的单晶籽晶II；单晶籽晶I与单晶籽晶II相邻间隔、紧密排列形成籽晶层，铺设在坩埚底部；(2)将硅料置于籽晶层上，并将内装籽晶层和硅料的坩埚装入多晶硅铸锭炉内，将多晶硅铸锭炉加热至硅料完全熔化而籽晶层部分熔化；(3)当熔化至预设高度时，通过降温来诱导部分熔化的籽晶层生长，最后通过定向凝固形成所述双晶向多晶硅铸锭。
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