[发明专利]压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法在审
| 申请号： | 201810768745.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110715952A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王彦刚;齐放;李贺龙;王亚飞;李道会;戴小平;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法，包括以下步骤：步骤1.绘制器件电学参数结压降V | ||
| 搜索关键词： | 瞬态热 绘制 功率半导体器件 结壳热阻 散热基板 阻抗曲线 测量 壳表面 压接式 电学参数 关系曲线 分离点 接触层 器件结 结温 热阻 压降 压接 阻抗 | ||
【主权项】：
1.一种压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤：/n步骤1.绘制器件电学参数结压降V
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