[发明专利]一种p型背接触太阳电池及其制备方法

摘要

一种p型背接触太阳电池及其制备方法，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；电池电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线置于本征膜层范围内，且穿过背面钝化膜、本征膜层及钝化隧穿层后与p型硅基底形成接触；负极细栅线穿过背面钝化膜与n型掺杂膜层形成接触；正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。使用了本征膜层进行了隔离，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。

主权项

1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、钝化隧穿层(3)、间隔排列的第一膜层区域和第二膜层区域、背面钝化膜(6)和电池电极；所述第一膜层区域包括：钝化隧穿层(3)上远离p型硅基底(1)一侧的n型掺杂膜层(5)；所述第二膜层区域未进行额外掺杂，第二膜层区域包括：钝化隧穿层(3)上远离p型硅基底(1)一侧的本征膜层(4)；所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线(8)和正极连接电极(10)，所述负极包括负极细栅线(9)和负极连接电极(11)；所述正极细栅线(8)置于第二膜层区域范围内，且穿过背面钝化膜(6)、第二膜层区域及钝化隧穿层(3)后与p型硅基底(1)形成接触；所述负极细栅线(9)置于第一膜层区域范围内，并穿过背面钝化膜(6)与第一膜层区域形成接触；所述正极细栅线(8)与正极连接电极(10)连接，并通过正极连接电极(10)导出电流，所述负极细栅线(9)与负极连接电极(11)连接，并通过负极连接电极(11)导出电流。