[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810746206.7 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109192826B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 丁杰;秦双娇;胡任浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述应力释放层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置；所述第一子层的材料为掺有铝元素的氧化锌，所述第二子层的材料为掺有铟元素的氮化镓。本发明可以达到良好的应力释放效果，有效避免蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷延伸到有源层，有利于有源层中电子和空穴的辐射复合发光，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 源层 发光二极管外延 应力释放层 氮化镓 缓冲层 衬底 制备 半导体技术领域 应力释放效果 空穴 发光二极管 发光效率 复合发光 交替层叠 晶格失配 依次层叠 蓝宝石 铝元素 氧化锌 铟元素 辐射 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述应力释放层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置；所述第一子层的材料为掺有铝元素的氧化锌，所述第二子层的材料为掺有铟元素的氮化镓，所述多个第二子层中铟组分的摩尔含量沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层增大。/n
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