[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810728134.3 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN108933179B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞;陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34;H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该制作方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、源极和漏极；在所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上形成平坦层，并对所述平坦层进行图案化处理，以形成第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分位于所述源极和所述漏极之间、所述第二部分位于所述源极的一侧以及所述第三部分位于所述漏极的一侧，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都与所述源极和所述漏极的顶部齐平；在所述平坦层及所述源极和所述漏极上形成有源层，所述有源层用于形成沟道；在所述沟道、所述第二部分和第三部分上形成钝化层。本发明的薄膜晶体管及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一导电层，对所述第一导电层进行图案化处理形成栅极；在所述栅极和所述基板上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第二导电层，对所述第二导电层进行图案化处理形成源极和漏极；在所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上形成平坦层，并对所述平坦层进行图案化处理，以形成第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分位于所述源极和所述漏极之间、所述第二部分位于所述源极的一侧以及所述第三部分位于所述漏极的一侧，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都与所述源极和所述漏极的顶部齐平，以将部分所述源极和所述漏极裸露在外；在所述平坦层及所述源极和所述漏极上形成有源层，所述有源层用于形成沟道；在所述沟道、所述第二部分和所述第三部分上形成钝化层。
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