[发明专利]一种具有阶梯埋氧层的超结横向高压器件

摘要

本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种具有阶梯埋氧层的超结横向高压器件。本发明的具有阶梯埋氧层的横向高压器件在N型漂移区和P型衬底之间引入阶梯型的埋氧层，并且按照从源到漏逐渐增加，较好优化了漂移区内电荷分布，屏蔽衬底辅助耗尽效应，从而使得超结层达到了电荷平衡增加了器件的横向击穿电压。另外阶梯型的埋氧层也起到了固定空穴的作用使得埋层上界面空穴浓度大大增加，从而使得埋层电场得到了增加，提高器件的纵向击穿电压。本发明的有益效果为，具有耐高压，同时降低了工艺难度。

主权项

1.一种具有阶梯埋氧层的超结横向高压器件，包括P型衬底1上、阶梯型的埋氧层23以及设置在阶梯埋氧层23上端的N型漂移区31，所述N型漂移区31中设置有P型体区41、超结层71以及第二N型重掺杂34，所述P型体区41中包括相互独立的第一N型重掺杂区42和P型重掺杂区32，所述P型体区41上端设置有源金属52和栅氧化层21，所述栅氧化层21上端设置有多晶硅栅电极61，所述超结层71包括N型掺杂条33和P型掺杂条43，所述第二N型重掺杂34上端面设置有漏极金属53，所述漏极金属53和栅氧化层21之间通过介电层22隔离，所述介质隔离层22上端面设置有漏极场板81。