[发明专利]掩模及其形成方法在审
| 申请号： | 201810714793.1 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109752917A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杨世豪;涂志强;陈俊郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/54;G03F1/48;G03F1/76;G03F1/64 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开掩模及其形成方法。所述掩模包括衬底、相移层、遮蔽层及保护层。所述相移层设置在所述衬底之上。所述遮蔽层设置在所述相移层之上。所述保护层设置在所述遮蔽层之上且与所述遮蔽层实体接触。 | ||
| 搜索关键词： | 遮蔽层 相移层 掩模 保护层 衬底 实体接触 | ||
【主权项】：
1.一种掩模，其特征在于，包括：衬底；相移层，设置在所述衬底之上；遮蔽层，设置在所述相移层之上；以及保护层，设置在所述遮蔽层之上且与所述遮蔽层实体接触。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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