[发明专利]掩模及其形成方法

说明书

本发明实施例公开掩模及其形成方法。所述掩模包括衬底、相移层、遮蔽层及保护层。所述相移层设置在所述衬底之上。所述遮蔽层设置在所述相移层之上。所述保护层设置在所述遮蔽层之上且与所述遮蔽层实体接触。

技术领域

本发明实施例涉及一种掩模及其形成方法。

背景技术

光刻(photolithography)用于在半导体装置的制作过程中将图案转移到芯片上。基于各种集成电路(integrated circuit，IC)布局，图案从光掩模(或掩模版)转移到芯片的表面。随着尺寸的减小及集成电路芯片中密度的增大，开发出了例如光学邻近效应校正(optical proximity correction，OPC)、离轴照明(off-axis illumination，OAI)、双重偶极光刻(double dipole lithography，DDL)及相移掩模(phase-shift mask，PSM)等分辨率增强技术，以改善焦点深度(depth of focus，DOF)且因此能使得图案更好地传递到芯片上。

发明内容

根据本发明的实施例，一种掩模包括衬底、相移层、遮蔽层及保护层。所述相移层设置在所述衬底之上。所述遮蔽层设置在所述相移层之上。所述保护层设置在所述遮蔽层之上且与所述遮蔽层实体接触。

根据本发明的实施例，一种掩模包括衬底、相移层、遮蔽层及含硅的保护层。所述衬底包括图像区及框架区，其中所述框架区具有与所述图像区相邻的图像边界区。所述相移层在所述图像区及所述框架区中设置在所述衬底之上。所述遮蔽层设置在所述相移层之上。所述含硅的保护层设置在所述遮蔽层之上，其中所述遮蔽层及所述含硅的保护层设置在所述图像边界区中。

根据本发明的实施例，一种形成掩模的方法包括以下步骤。在衬底之上依序形成相移层、遮蔽层、保护层及硬掩模层。在所述硬掩模层之上形成第一掩模层，以暴露出所述硬掩模层的一些部分。使用所述第一掩模层将所述硬掩模层及所述保护层图案化，以暴露出所述遮蔽层的一些部分。移除所述第一掩模层。在所述硬掩模层之上形成第二掩模层，以暴露出所述硬掩模层的一些部分及所述遮蔽层的一些部分。使用所述第二掩模层将所述硬掩模层图案化，以暴露出所述保护层的一些部分。使用所述保护层作为掩模将所述遮蔽层图案化，以暴露出所述相移层的一些部分。移除所述第二掩模层。使用所述硬掩模层将所述保护层图案化。使用所述遮蔽层作为掩模将所述相移层图案化。使用所述保护层作为掩模将所述遮蔽层图案化。移除所述硬掩模层。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的临界尺寸(critical dimension)。

图1是根据本公开的一些实施例的一种制作掩模的方法的流程图。

图2A到图2E是示出根据本公开的一些实施例的一种制作掩模的方法的示意性剖视图。

图3是示出根据本公开的一些实施例的掩模的示意性俯视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下阐述组件及排列形式的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例而并非旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第二特征形成在第一特征“之上”或第一特征“上”可包括其中第二特征及第一特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第二特征与第一特征之间可形成有附加特征、从而使得所述第二特征与所述第一特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。