[发明专利]掩模及其形成方法

权利要求书

1.一种掩模，其特征在于，包括：

衬底；

相移层，设置在所述衬底之上；

遮蔽层，设置在所述相移层之上；以及

保护层，设置在所述遮蔽层之上且与所述遮蔽层实体接触。

2.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述遮蔽层的材料包括含钽的材料、含铬的材料、含钛的材料或它们的组合。

3.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述保护层的材料包括含硅的材料。

4.一种掩模，其特征在于，包括：

衬底，包括图像区及框架区，其中所述框架区具有与所述图像区相邻的图像边界区；

相移层，在所述图像区及所述框架区中设置在所述衬底之上；

遮蔽层，设置在所述相移层之上；以及

含硅的保护层，设置在所述遮蔽层之上，其中所述遮蔽层及所述含硅的保护层设置在所述图像边界区中。

5.根据权利要求4所述的掩模，其特征在于，所述遮蔽层的内边缘与所述含硅的保护层的内边缘实质上对齐。

6.根据权利要求4所述的掩模，其特征在于，所述含硅的保护层仅设置在所述图像边界区中。

7.一种形成掩模的方法，其特征在于，包括：

在衬底之上依序形成相移层、遮蔽层、保护层及硬掩模层；

在所述硬掩模层之上形成第一掩模层，以暴露出所述硬掩模层的一些部分；

使用所述第一掩模层将所述硬掩模层及所述保护层图案化，以暴露出所述遮蔽层的一些部分；

移除所述第一掩模层；

在所述硬掩模层之上形成第二掩模层，以暴露出所述硬掩模层的一些部分及所述遮蔽层的一些部分；

使用所述第二掩模层将所述硬掩模层图案化，以暴露出所述保护层的一些部分；

使用所述保护层作为掩模将所述遮蔽层图案化，以暴露出所述相移层的一些部分；

移除所述第二掩模层；

使用所述硬掩模层将所述保护层图案化；

使用所述遮蔽层作为掩模将所述相移层图案化；

使用所述保护层作为掩模将所述遮蔽层图案化；以及

移除所述硬掩模层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬底包括图像区及框架区，所述框架区具有与所述图像区相邻的图像边界区，且所述使用所述第一掩模层将所述硬掩模层及所述保护层图案化的步骤包括：

通过第一蚀刻工艺，从被所述第一掩模层暴露出的所述图像区移除所述硬掩模层的一些部分；以及

通过第二蚀刻工艺，从被所述第一掩模层暴露出的所述图像区移除所述保护层的一些部分。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬底包括图像区及框架区，所述框架区具有与所述图像区相邻的图像边界区，且所述使用所述第二掩模层将所述硬掩模层图案化的步骤及所述使用所述保护层作为掩模将所述遮蔽层图案化的步骤包括：

通过蚀刻工艺，同时从被所述第二掩模层暴露出的所述图像边界区移除所述硬掩模层的一些部分以及从被所述保护层暴露出的所述图像区移除所述遮蔽层的一些部分。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬底包括图像区及框架区，所述框架区具有与所述图像区相邻的图像边界区，且所述使用所述硬掩模层将所述保护层图案化的步骤及所述使用所述遮蔽层作为掩模将所述相移层图案化的步骤包括：

通过蚀刻工艺，同时从被所述硬掩模层暴露出的所述图像边界区移除所述保护层的一些部分以及从被所述遮蔽层暴露出的所述图像区移除所述相移层的一些部分。