[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件的制造方法用于在半导体器件中形成通孔，包括在对应存储单元区域的衬底中形成若干浅沟槽隔离；在所述衬底表面形成若干栅极；在所述栅极沿所述第一方向延伸的两侧侧壁上形成侧墙；对所述存储单元区域沉积牺牲层；去除对应于存储单元漏端的浅沟槽隔离的所述牺牲层，并在所述存储单元漏端的浅沟槽隔离上沉积隔离介质以形成隔离带；去除剩余的所述牺牲层，以在去除剩余的所述牺牲层后的空间形成底部通孔；其中，所述牺牲层的材质不同于所述侧墙、所述隔离介质以及所述浅沟槽隔离的材质。根据本发明提供的制造方法，所制造的半导体器件通孔形貌笔直，电特性能良好。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，用于在半导体器件中形成通孔，所述半导体器件包括存储单元区域，所述制造方法包括：在对应所述存储单元区域的衬底中形成若干浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离在第一方向上相互间隔并沿第二方向延伸，以定义被所述浅沟槽隔离间隔的所述衬底的有源区，所述第一方向垂直于所述第二方向；在所述衬底表面形成若干栅极，所述栅极沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上相互间隔；在所述栅极沿所述第一方向延伸的两侧侧壁上形成侧墙；对所述存储单元区域沉积牺牲层，所述牺牲层覆盖所述栅极并填充栅极与栅极之间的间隙；去除对应于存储单元漏端的浅沟槽隔离的所述牺牲层，并在所述存储单元漏端的浅沟槽隔离上沉积隔离介质以形成隔离带；去除剩余的所述牺牲层，以在去除剩余的所述牺牲层后的空间形成底部通孔，所述底部通孔包括对应所述存储单元漏端的有源区的漏端底部通孔以及对应存储单元源端的源端底部通孔；其中，所述牺牲层的材质不同于所述侧墙、所述隔离介质以及所述浅沟槽隔离的材质。