[发明专利]一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法及系统有效
| 申请号： | 201810693573.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109037029B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 许南发;席庆男;王晓慧;郭文平 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;G06F30/17 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 杨筠 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法及系统，方法包括：对选取的常规形状的掩膜进行ICP刻蚀，建立ICP掩膜图形工艺调整规则；根据建立的ICP掩膜图形工艺调整规则以及目标图形掩膜的参数要求，计算常规形状的掩膜与所述目标图形掩膜之间的补偿参数；根据计算得到的所述补偿参数，以选取的常规形状的掩膜为基础，设计生成符合目标图形的掩膜，从而实现对掩膜刻蚀后，掩膜的形状符合预先设置的目标图形形状，提高散射效果，进一步提高蓝宝石的发光度，提升产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 等离子 刻蚀 负载 效应 图形 修饰 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：对选取的常规形状的掩膜进行ICP刻蚀，建立ICP掩膜图形工艺调整规则；根据建立的ICP掩膜图形工艺调整规则以及目标图形掩膜的参数要求，计算常规形状的掩膜与所述目标图形掩膜之间的补偿参数，所述掩膜补偿参数包括补偿量、补偿位置和补偿形状；根据计算得到的所述补偿参数，以选取的常规形状的掩膜为基础，设计生成符合目标图形的掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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