[发明专利]一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法及系统

权利要求书

1.一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

对选取的常规形状的掩膜进行ICP刻蚀，建立ICP掩膜图形工艺调整规则；

根据建立的ICP掩膜图形工艺调整规则以及目标图形掩膜的参数要求，计算常规形状的掩膜与所述目标图形掩膜之间的补偿参数，所述掩膜补偿参数包括补偿量、补偿位置和补偿形状；

根据计算得到的所述补偿参数，以选取的常规形状的掩膜为基础，设计生成符合目标图形的掩膜；

所述对选取的常规图形的掩膜进行ICP刻蚀，建立ICP掩膜图形工艺调整规则的步骤具体包括下述步骤：

控制按照常规的圆形掩膜和方形掩膜制作光刻蚀图形掩膜；

对制作的光刻蚀掩膜图形进行光刻蚀操作，计算掩膜在第一周期和第一周长的情形下的光刻蚀速率和选择比；

依据计算得到的光刻蚀速率和选择比，计算不同掩膜周期和不同掩膜周长的掩膜对所述光刻蚀速率和选择比的影响，获取得到不同掩膜周期、不同掩膜周长所对应的光刻蚀速率和选择比；

对获取得到的不同掩膜周期、不同掩膜周长所对应的光刻蚀速率和选择比进行汇总形成ICP掩膜图形工艺调整规则。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法，其特征在于，所述控制按照常规的圆形掩膜和方形掩膜制作光刻蚀图形掩膜的步骤具体包括下述步骤：

控制选择基本材料，所述基本材料包括蓝宝石、玻璃、石英和碳化硅；

控制对选择的基本材料进行清洗；

控制在所述蓝宝石上涂覆固定厚度的光刻胶，制作常规的圆形掩膜和方形掩膜。

3.根据权利要求2所述的蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法，其特征在于，所述依据计算得到的光刻蚀速率和选择比，计算不同掩膜周期和不同掩膜周长的掩膜对所述光刻蚀速率和选择比的影响，获取得到不同掩膜周期、不同掩膜周长所对应的光刻蚀速率和选择比的步骤具体包括下述步骤：

依据计算得到的光刻蚀速率和选择比，计算在第二周期第一周长情形下的掩膜刻蚀所对应的光刻蚀速率和选择比；

依据计算得到的光刻蚀速率和选择比，计算在第一周期第二周长情形下的掩膜刻蚀所对应的光刻蚀速率和选择比。

4.根据权利要求3所述的蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法，其特征在于，所述根据计算得到的所述补偿参数，以选取的常规形状的掩膜为基础，设计生成符合目标图形的掩膜的步骤之后还包括下述步骤：

以设计生成符合目标图形的掩膜为选取的掩膜，返回执行所述建立ICP掩膜图形工艺调整规则以及后续的步骤。

5.一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰系统，其特征在于，所述系统包括：

ICP掩膜图形工艺调整规则建立模块，用于对选取的常规形状的掩膜进行ICP刻蚀，建立ICP掩膜图形工艺调整规则；

补偿参数计算模块，用于根据建立的ICP掩膜图形工艺调整规则以及目标图形掩膜的参数要求，计算常规形状的掩膜与所述目标图形掩膜之间的补偿参数，所述掩膜补偿参数包括补偿量、补偿位置和补偿形状；

目标图形掩膜设计生成模块，用于根据计算得到的所述补偿参数，以选取的常规形状的掩膜为基础，设计生成符合目标图形的掩膜；

所述ICP掩膜图形工艺调整规则建立模块具体包括：

图形掩膜制作模块，用于控制按照常规的圆形掩膜和方形掩膜制作光刻蚀图形掩膜；

第一计算模块，用于对制作的光刻蚀掩膜图形进行光刻蚀操作，计算掩膜在第一周期和第一周长的情形下的光刻蚀速率和选择比；

第二计算模块，用于依据计算得到的光刻蚀速率和选择比，计算不同掩膜周期和不同掩膜周长的掩膜对所述光刻蚀速率和选择比的影响，获取得到不同掩膜周期、不同掩膜周长所对应的光刻蚀速率和选择比；

规则汇总生成模块，用于对获取得到的不同掩膜周期、不同掩膜周长所对应的光刻蚀速率和选择比进行汇总形成ICP掩膜图形工艺调整规则。