[发明专利]包含分支存储器裸芯模块的硅通孔半导体装置

摘要

公开了一种半导体装置，包含集成存储器模块。集成存储器模块可以包含CMOS逻辑电路半导体裸芯上堆叠的多个存储器阵列半导体裸芯，其一起作为单个的、集成的闪速存储器操作。集成存储器模块中的半导体裸芯中的每一个可以形成有硅通孔(TSV)的图案，其盖覆有所述半导体裸芯的相反的表面上的电连接体。一经堆叠，相邻半导体裸芯的电连接体可以电互连，以将集成存储器模块中的半导体裸芯中的每一个电气和机械连接。

主权项

1.一种集成存储器模块，包括：/n多个第一半导体裸芯，所述多个第一半导体裸芯包括第一和第二相反的表面，所述多个第一半导体裸芯中的每个第一半导体裸芯包括：/n第一集成电路，/n所述第一表面上的第一组接合垫，/n所述第二表面上的第二组接合垫，以及/n硅通孔的第一集合，其将所述第一组接合垫和第二组接合垫电耦接；/n第二半导体裸芯，包括：/n第三和第四相反的表面，/n第二集成电路，/n所述第三表面上的第三组接合垫，以及/n硅通孔的第二集合，其电耦接到所述第三组接合垫；/n其中所述多个第一半导体裸芯和所述第二半导体裸芯由所述第一组、第二组和第三组接合垫耦接在一起；并且/n其中所述多个第一半导体裸芯和所述第二半导体裸芯一起配置为集成闪速存储器。/n