[发明专利]包含分支存储器裸芯模块的硅通孔半导体装置

权利要求书

1.一种集成存储器模块，包括：

多个第一半导体裸芯，所述多个第一半导体裸芯包括第一和第二相反的表面，所述多个第一半导体裸芯中的每个第一半导体裸芯包括：

第一集成电路，

所述第一表面上的第一组接合垫，

所述第二表面上的第二组接合垫，以及

硅通孔的第一集合，其将所述第一组接合垫和第二组接合垫电耦接；

第二半导体裸芯，包括：

第三和第四相反的表面，

第二集成电路，

所述第三表面上的第三组接合垫，以及

硅通孔的第二集合，其电耦接到所述第三组接合垫；

其中所述多个第一半导体裸芯和所述第二半导体裸芯由所述第一组、第二组和第三组接合垫耦接在一起；并且

其中所述多个第一半导体裸芯和所述第二半导体裸芯一起配置为集成闪速存储器。

2.根据权利要求1所述的集成存储器模块，其中所述多个第一半导体裸芯中的每一个中的所述第一集成电路包括多个存储器单元。

3.根据权利要求2所述的集成存储器模块，其中所述第二集成电路包括控制电路，以控制对所述多个存储器单元的存取。

4.根据权利要求3所述的集成存储器模块，其中所述控制电路包括互补金属氧化物半导体集成电路。

5.根据权利要求1所述的集成存储器模块，其中所述多个第一半导体裸芯具有彼此相同的长度和宽度，并具有第一和第二接合垫的相同的图案。

6.根据权利要求5所述的集成存储器模块，其中所述第二半导体裸芯具有与所述多个第一半导体裸芯相同的长度和宽度，并且具有与所述第一和第二接合垫的图案相同的第三和第四接合垫的图案。

7.一种半导体装置，包括：

上下叠置的多个第一半导体裸芯，所述多个第一半导体裸芯包括第一和第二相反的表面，所述多个第一半导体裸芯中的每个第一半导体裸芯包括：

第一集成电路，

所述第一表面上的第一组接合垫，

所述第二表面上的第二组接合垫，所述多个第一半导体裸芯中的半导体裸芯的所述第一组接合垫接合到所述堆叠体中的所述多个第一半导体裸芯的下一相邻裸芯的第二组接合垫，以及

硅通孔的第一集合，其将所述第一组和第二组接合垫电耦接；

第二半导体裸芯，所述多个第一半导体裸芯堆叠在所述第二半导体裸芯上，所述第二半导体裸芯包括：

第三和第四相反的表面，

第二集成电路，

所述第三表面上的第三组接合垫，所述第三组接合垫接合到所述堆叠体中的所述多个第一半导体裸芯的最底部裸芯的所述第二组接合垫，

以及

电耦接到所述第三组接合垫的硅通孔的第二集合；

其中所述多个第一半导体裸芯和所述第二半导体裸芯一起配置为集成闪速存储器。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括所述第二半导体裸芯的第四表面上的第四组接合垫。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括重分布图案，以将所述硅通孔的第二集合电耦接到所述第二半导体裸芯的第四表面上的所述第四组接合垫。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括固定到所述第四组接合垫的焊料球。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述多个第一半导体裸芯中的每一个中的所述第一集成电路包括多个存储器单元。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二集成电路包括控制电路，以控制对所述多个存储器单元的存取。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述控制电路包括互补金属氧化物半导体集成电路。