[发明专利]用于测试半导体裸晶的方法以及测试电路有效
| 申请号： | 201810682466.2 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110190006B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 袁德铭 | 申请（专利权）人： | 补丁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于测试半导体裸晶的方法。所述方法包括以下步骤：对所述半导体裸晶的裸晶垫充电至预充电电平；停止对所述裸晶垫充电以侦测所述裸晶垫的电压电平从所述预充电电平改变至一参考电平所需要的时间周期，并且相应地产生侦测结果；以及依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的漏电流。本发明的半导体裸晶测试方案可侦测未被探针接触的裸晶垫的漏电流，且因此可全面地侦测所述半导体裸晶上的缺陷并且以高准确度及高速进行良好裸晶测试。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 半导体 方法 以及 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试一半导体裸晶的方法，其特征在于，包括：对所述半导体裸晶的一裸晶垫充电至一预充电电平；停止对所述裸晶垫充电以侦测所述裸晶垫的一电压电平从所述预充电电平改变至一参考电平所需要的一时间周期，并且相应地产生一侦测结果；以及依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的一漏电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于补丁科技股份有限公司，未经补丁科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810682466.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体共晶、点胶一体贴片机
- 下一篇：一种用于调查晶圆背面异常的定位方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
