[发明专利]一种基于可自还原银离子浆料的低温键合方法在审
| 申请号： | 201810671279.4 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108878351A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;李俊杰;冯辰;史铁林;梁琦;廖广兰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 张彩锦;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于低温键合技术领域，并具体公开了一种基于可自还原银离子浆料的低温键合方法，其包括如下步骤：配制可自还原的银离子浆料；将可自还原的银离子浆料均匀涂覆至待键合基底的表面；在一定的键合温度、键合压力及键合时间下实现待键合基底的键合。本发明利用银离子自还原形成金属银实现互连键合，相较于使用银纳米颗粒浆料键合，具有无需制备银纳米颗粒、浆料分散性好、可均匀涂覆、低成本、易储存等优势，在电子封装技术中具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 银离子 自还原 浆料 键合 低温键合 均匀涂覆 键合基 低温键合技术 电子封装技术 浆料分散性 银纳米颗粒 制备银纳米 键合压力 低成本 互连键 金属银 配制 储存 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于可自还原银离子浆料的低温键合方法，其特征在于，包括如下步骤：a)配制可自还原的银离子浆料；b)将可自还原的银离子浆料均匀涂覆至待键合基底的表面；c)在一定的键合温度、键合压力及键合时间下实现待键合基底的键合。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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