[发明专利]用于具有减少的掩模数目的金属氧化物薄膜晶体管的射线照相成像阵列制备工艺

摘要

射线照相成像系统、射线照相检测器和使用射线照相检测器的方法和/或其制造方法的实施方案可包含射线照相成像阵列，所述射线照相成像阵列可包含各自包含耦合到薄膜开关元件的光电转换元件的多个像素。在某些示例性实施方案中，薄膜开关元件是使用减少的光刻掩模数目制造的金属氧化物(例如，a‑IGZO)TFT。在某些示例性实施方案中，所述薄膜开关元件是在TFT电极之间包含减小的较低对准容限的金属氧化物(例如，a‑IGZO)TFT。在某些示例性实施方案中，所述薄膜开关元件是包含减小厚度的有源层的金属氧化物(例如，a‑IGZO)TFT。

主权项

1.一种使用仅三个光刻掩模来制造数字射线照相检测器中的薄膜晶体管的方法，所述射线照相检测器包含成像阵列，所述成像阵列包括按行和列布置的多个像素，每一像素包括经配置以基于接收的辐射产生信号的光传感器，所述方法包括：形成绝缘衬底；在所述多个像素中的每一者中形成耦合到所述光传感器的薄膜晶体管，其包括：在所述绝缘衬底上方形成金属氧化物半导体有源层和栅极绝缘层，使用所述三个光刻掩模中的第一光刻掩模图案化所述栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层和所述金属氧化物半导体有源层的选定的暴露部分上方形成包括金属的导电层，使用所述三个光刻掩模中的第二光刻掩模图案化所述导电层以形成控制电极、第一电极和第二电极，在所述电极和所述暴露的栅极绝缘层上方形成保护层，以及使用所述三个光刻掩模中的第三光刻掩模图案化所述保护层以暴露所述电极的一部分以用于电连接。